微观视界：碳化硅(SiC)内部裂纹与杂质的
X-Ray CT三维无损检测

作为第三代半导体的核心材料，碳化硅（SiC）在生长与加工中极易产生肉眼不可见的内部微裂纹、孔洞及杂质。这些缺陷若未剔除，将导致器件在高压高温下失效。工业级X-Ray CT检测设备通过断层扫描技术，成为解决这一难题的关键。

01 精准空间定位 获取裂纹XYZ三维坐标，不再受限于平面重叠干扰。

02 缺陷体积量化 自动计算空洞率（Void %）及杂质体积，提供量化数据。